معماری
خانه / سخت افزار / آیفون تراشه A10 Fusion مبتنی بر لیتوگرافی 16 نانومتری FinFET
c8481ccb-a001-46d9-9f91-6a583e2a781b

آیفون تراشه A10 Fusion مبتنی بر لیتوگرافی 16 نانومتری FinFET

وب‌سایت ChipWorks با نگاهی موشکافانه به بررسی و کالبدشکافی آیفون‌های جدید اپل پرداخته و اطلاعات جالب توجهی را در مورد این گوشی‌هوشمند به دست آورده است. براساس اطلاعات ارائه شده تراشه‌ی A10 Fusion آیفون ۷ و آیفون ۷ پلاس توسط کمپانی تایوانی TSMC تولید شده است. تایوانی‌ها این تراشه را مبتنی بر لیتوگرافی ۱۶ نانومتری و فرآیند FinFET تولید کرده‌اند. شماره‌ی قطعه‌ی تراشه‌ی A10 Fusion عبارت AOLW24, 339S00255 است، حال آنکه تراشه‌ی A9 دارای شماره‌ی APL1022, 339S00129 است. مشخص نیست که W اضافه شده به پارت نامبر A10 Fusion به چه دلیلی است. در صورتی که به خاطر داشته باشید، آیفون ۶ اس از تراشه‌ی A9 پشتیبانی می‌کند که دو کمپانی سامسونگ و TSMC آن را تولید کرده بودند، حال آنکه هنوز مشخص نیست که آیا سامسونگ نیز دخالتی در تولید A10 داشته یا TSMC این مسئولیت را به تنهایی به دوش کشیده است.

c8481ccb-a001-46d9-9f91-6a583e2a781b

اطلاعات موجود نشان از این دارد که تراشه‌ی A10 با مساحت ۱۲۵ میلی‌متر مربع بیش از ۳.۳ میلیارد ترانزیستور را در خود جای داده است. با توجه به اینکه اپل وظیفه‌ی تولید این تراشه را به TSMC سپرده، از این‌رو این سومین نسل از تراشه‌های اپل است که مبتنی بر لیتوگرافی ۱۶/۲۰ نانومتری تایوانی‌ها تولید می‌شود. همچنین در دو تراشه‌ی آخر مورد استفاده‌ی اپل، از فرآیند FinFET به منظور تولید استفاده شده است. یکی از موارد جالب در مورد تفاوت‌های A10 و A9 کاهش ابعاد نسل جدید تراشه‌ی اپل است، بطوریکه مساحت سطح A9 حدود ۱۵۰ میلی متر مربع بود، حال آنکه تعداد ترانزیستورها در A10 نیز افزایش پیدا کرده است.

نقشه تراشه A10

در واقع TSMC در دو نسل اخیر تراشه‌های A10 اپل تغییری در معماری ارتباطی بین کامپوننت‌های مورد استفاده در تراشه و در واقع ارتباط ترانزیستورها ایجاد نکرده و از این نظر A10 مبتنی بر لیتوگرافی ۲۰ نانومتری است، اما TSMC تمرکز خود را روی بهبود ترانزیستورها قرار داده و همین موضوع باعث افزایش تعداد ترانزیستورهای مورد استفاده در عین کاهش مصرف انرژی و افزایش عملکرد تراشه‌ی A10 است.

نقشه‌ی بدست آمده از تراشه‌ی A10 Fusion گویای این موضوع است که ابعاد دو هسته‌ی پرقدرت حدود ۱۶ میلی‌متر مربع است، حال آنکه ابعاد دو هسته‌ی A9 بیش از ۱۳ میلی متر مربع بود؛ این موضوع را می‌توان نشان دهنده‌ی بزرگ شدن هسته‌های پردازشی در عین افزایش قدرت خواند. البته چیپ ورکز نتواسنته محل دقیق دو هسته‌ی ضعیف‌تر A10 را پیدا کند، حال آنکه در سمت چپ نقشه، بلوک‌هایی را به عنوان محل هسته‌های ضعیف مشخص کرده است. البته چیپ‌ ورکز یکی از احتمالات در مورد ابعاد بزرگ هسته‌های پرقدرت A10 را احتمال کنار هم قرار گرفتن هسته‌ی قدرتمند در کنار دو هسته‌ی ضعیف خوانده است.

درباره ی hamed

همچنین ببینید

انتشار تصاویری از گلکسی A5 مدل 2017

انتشار تصاویری از گلکسی A5 مدل 2017

چند روزی می‌شود که خبرهای مختلفی از مدل جدید گوشی گلکسی A5 به بیرون درز …

گلکسی S8 با حافظه 256 گیگابایت

گوشی گلکسی S8 با حافظه 256 گیگابایت

اخباری وجود دارد که این گوشی در مقایسه با گلکسی S۷که دارای رم ۴ گیگابایتی …

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *


*